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PCT发明

用于重分配层工艺的替代集成

2023-06-02 12:38:46 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201980049818.3
  • 公开（公告）日：2025-04-04
  • 公开（公告）号：CN112514050A
  • 申请人：朗姆研究公司
摘要：在一个示例中，描述了一种用于再分布层(RDL)工艺的方法。提供衬底。在衬底的上面沉积介电层。使介电层图案化。将阻挡层和铜籽晶层沉积在介电层的上面。将光致抗蚀剂层施加在阻挡层和铜籽晶层的上面。使光致抗蚀剂层图案化以对应于介电层图案。铜电沉积在由光致抗蚀剂层暴露的图案化区域中。去除光致抗蚀剂层。蚀刻铜和籽晶阻挡层。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112514050 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 201980049818.3 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 樊英如　邱晓敏 (22)申请日 2019.07.26 (51)Int.Cl. (30)优先权数据 H01L 21/768 (2006.01) 62/703,762 2018.07.26 US H01L 21/027 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.01.26 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2019/043729 2019.07.26 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/023907 EN 2020.01.30 (71)申请人 朗姆研究公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 贾斯廷 ·奥伯斯特　 布莱恩 ·L ·巴卡柳　 斯蒂芬 ·J ·巴尼克　 权利要求书1页 说明书4页 附图14页 (54)发明名称 用于重分配层工艺的替代集成 (57)摘要

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