键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115821397 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211654472.X (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 燕山大学 地址 066004 河北省秦皇岛市河北大街西 段438号 (72)发明人 李鹏　庞磊　徐向前　舒予　 田永君　 (74)专利代理机构 北京市诚辉律师事务所 11430 专利代理师 范盈　姚幸茹 (51)Int.Cl. C30B 33/06 (2006.01) C30B 29/02 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方 法 (57)摘要 本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩 散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以 及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的 影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊 面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的 压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无 再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高 分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实 现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、 节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明 显焊缝原子级键合态铜单晶体。 A 7 9 3 1 2 8 5 1 1 N C