发明

KrF负性光刻胶及其制备方法、应用

2023-04-23 09:31:27 发布于四川 41
  • 申请专利号:CN202111417731.2
  • 公开(公告)日:2024-06-18
  • 公开(公告)号:CN113960881A
  • 申请人:潍坊星泰克微电子材料有限公司
摘要:本发明提供了一种KrF负性光刻胶及其制备方法、应用,涉及光刻胶制备的技术领域,包括如下组分:聚对羟基苯乙烯共聚物、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂,其中,聚对羟基苯乙烯共聚物包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物,光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明的KrF负性光刻胶,其在非曝光区时,酸性催化剂催化聚对羟基苯乙烯共聚物的保护基团脱落,而在曝光区经248nm波长紫外光曝光后,阴离子引发剂产生的化合物会使酸性催化剂失活,不再催化去保护基团。本发明解决了聚对羟基苯乙烯树脂在交联后难以湿法去胶的技术问题,达到了可以采用湿法去胶,通过常温浸泡即可将光刻胶去除干净的技术效果。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113960881 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111417731.2 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人 潍坊星泰克微电子材料有限公司 地址 261000 山东省潍坊市高新技术开发 区清池街道府东社区高二路417号2号 楼1-2层 (72)发明人 周元基  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所 (特殊普通合伙) 11463 代理人 张金铭 (51) Int.C l. G03F 7/038 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 (54)发明名称 KrF负性光刻胶及其制备方法、应用 (57)摘要 本发明提供了一种KrF负性光刻胶及其制备 方法、应用,涉及光刻胶制备的技术领域,包括如 下组分:聚对羟基苯乙烯共聚物、酸性催化剂、光 致去活剂以及任选的溶剂,其中,聚对羟基苯乙 烯共聚物包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯共 聚物,光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明的 KrF负性光刻胶,其在非曝光区时,酸性催化剂催 化聚对羟基苯乙烯共聚物的保护基团脱落,而在 曝光区经248nm波长紫外光曝光后,阴离子引发 剂产生的化合物会使酸性催化剂失活,不再催化 去保护基团。本发明解决了聚对羟基苯乙烯树脂 在交联后难以湿法去胶的技术问题,达到了可以 A 采用湿法去胶,通过常温浸泡即可

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