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发明

一种高反光率的电磁屏蔽膜及制备工艺

2023-07-03 10:10:28 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310350620.7
  • 公开（公告）日：2025-03-11
  • 公开（公告）号：CN116367526A
  • 申请人：深圳深汕特别合作区科诺桥新材料有限公司
摘要：本发明公开了一种高反光率的电磁屏蔽膜及制备工艺。该高反光率的电磁屏蔽膜包括第一离型保护膜、白色绝缘层、屏蔽层、导电层和第二离型保护膜；其中，绝缘层覆盖在第一离型保护膜上，屏蔽层覆盖在绝缘层上，导电层覆盖在屏蔽层上，第二离型保护膜覆盖在导电层上。本发明高反光率的电磁屏蔽膜具有高反光率和高电磁屏蔽体功效。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116367526 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310350620.7 C09J 9/02 (2006.01) C09D 11/03 (2014.01) (22)申请日 2023.04.04 B32B 27/28 (2006.01) (71)申请人 深圳深汕特别合作区科诺桥新材料 B32B 33/00 (2006.01) 有限公司 B05D 7/24 (2006.01) 地址 518000 广东省深圳市深汕特别合作 B05D 3/14 (2006.01) 区鹅埠镇新园路北侧科诺桥高分子材 料产业园3栋 (72)发明人 由龙　宋龙峰　杨万发　魏柳虹　 王雪媛　 (74)专利代理机构 广东柏权维知识产权代理有 限公司 44898 专利代理师 蒋国荣 (51)Int.Cl. H05K 9/00 (2006.01) C09J 163/00 (2006.01)

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