发明
热光可调控的VO2-MIM超表面构建方法、VO2-MIM超表面及应用2024
2024-12-04 13:18:50
发布于四川
24
- 申请专利号:CN202410595482.3
- 公开(公告)日:2024-12-03
- 公开(公告)号:CN118534681A
- 申请人:成都信息工程大学
摘要:本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型:定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数,并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系,获得MIM超表面相位理论模型;S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构,构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构:利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变,介电常数随温度发生变化的性质,调节MIM结构的反射系数,实现温度对光自旋霍尔效应的调控;S3、利用仿真实验获取最佳结构参数:改变MIM结构参数,调整MIM超表面相位理论模型,并进行仿真实验,确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,通过在MIM超表面中引入活性物质VO2,实现了对光自旋霍尔效应的热光调控,所产生的PSHE位移变化值ΔH增加,为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。
专利内容
本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,属于光学器件领域,包括以下步骤:S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型:定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数,并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系,获得MIM超表面相位理论模型;S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构,构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构:利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变,介电常数随温度发生变化的性质,调节MIM结构的反射系数,实现温度对光自旋霍尔效应的调控;S3、利用仿真实验获取最佳结构参数:改变MIM结构参数,调整MIM超表面相位理论模型,并进行仿真实验,确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用,通过在MIM超表面中引入活性物质VO2,实现了对光自旋霍尔效应的热光调控,所产生的PSHE位移变化值ΔH增加,为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。G02F1/01(2006.01);G02F1/00(2006.01);G02B27/00(2006.01)
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