发明

一种IV~VI族单元素量子点材料及其制备方法2025

2024-01-30 07:15:44 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311399599.6
  • 公开(公告)日:2025-05-13
  • 公开(公告)号:CN117447993A
  • 申请人:西华大学
摘要:本发明公开了一种IV~VI族单元素量子点材料及其制备方法,属于荧光纳米材料技术领域。IV~VI族单元素量子点材料的制备方法为:在惰性气体保护下,以N‑甲基吡咯烷酮为分散液,加入IV~VI族单元素粉末,在800‑1000W的功率下进行一次超声,得到悬浮液A;在冰浴条件下,悬浮液A在300‑500W的功率下进行二次超声,结束后得到的悬浮液B,悬浮液B在8000‑10000rpm的转速下进行一次离心,保留上清液,上清液在13000‑15000rpm的转速下进行二次离心得到IV~VI族单元素量子点。本发明通过简单便捷的方法制备得到具有高荧光量子效率的单元素量子点材料。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117447993 A (43)申请公布日 2024.01.26 (21)申请号 202311399599.6 B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.10.26 (71)申请人 西华大学 地址 610039 四川省成都市金牛区土桥金 周路999号 (72)发明人 薛娟 陈佳秀 张亚飞 尹学武  (74)专利代理机构 西安铭泽知识产权代理事务 所(普通合伙) 61223 专利代理师 梁静 (51)Int.Cl. C09K 11/59 (2006.01) C09K 11/70 (2006.01) C09K 11/56 (2006.01) C09K 11/88 (2006.01) C09K 11/66 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种IV VI族单元素量子点材料及其制备方 ~ 法 (57)摘要 本发明公开了一种IV ~VI族单元素量子点 材料及其制备方法,属于荧光纳米材料技术领 域。IV~VI族单元素量子点材料的制备方法为: 在惰性气体保护下,以N ‑甲基吡咯烷酮为分散 液,加入IV~VI族单元素粉末,

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