基于亥姆霍兹共振腔的双零折射率声学超材料设计方法2023
- 申请专利号:CN202210348766.3
- 公开(公告)日:2023-10-24
- 公开(公告)号:CN116935818A
- 申请人:同济大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116935818 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210348766.3 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人 同济大学 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号 (72)发明人 郝彤 王文琴 李勇 (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 专利代理师 杨宏泰 (51)Int.Cl. G10K 11/02 (2006.01) G10K 11/172 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 基于亥姆霍兹共振腔的双零折射率声学超 材料设计方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于亥姆霍兹共振腔的双 零折射率声学超材料设计方法,该方法将两个亥 姆霍兹共振腔并联,并通过一个连通管连通两个 亥姆霍兹共振腔的腔体构成结构单元,通过调控 连通管的几何尺寸使得该结构单元的有效质量 密度和有效体积模量的倒数同时为零,并且本发 明设计了一维周期性排列结构单元的阵列模型, 在双零折射率的频率处实现了均匀分布的声压 场和无变化的相位分布,同时设计了二维平面上 具有周期性排列结构单元的阵列模型,当嫁接在 具有硬缺陷的二维波导上时,在声波入射波导并 A 经过硬缺陷后可保持完善的平面波波形,实现了 8 声波隐身性能,与现有技术相比 ,本发明具有等 1 8 5 效参数同时为零、阻抗匹配、高透过率和设计自 3 9 6 由度高等优点。
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