发明

基于亥姆霍兹共振腔的双零折射率声学超材料设计方法2023

2023-10-26 07:12:53 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202210348766.3
  • 公开(公告)日:2023-10-24
  • 公开(公告)号:CN116935818A
  • 申请人:同济大学
摘要:本发明涉及一种基于亥姆霍兹共振腔的双零折射率声学超材料设计方法,该方法将两个亥姆霍兹共振腔并联,并通过一个连通管连通两个亥姆霍兹共振腔的腔体构成结构单元,通过调控连通管的几何尺寸使得该结构单元的有效质量密度和有效体积模量的倒数同时为零,并且本发明设计了一维周期性排列结构单元的阵列模型,在双零折射率的频率处实现了均匀分布的声压场和无变化的相位分布,同时设计了二维平面上具有周期性排列结构单元的阵列模型,当嫁接在具有硬缺陷的二维波导上时,在声波入射波导并经过硬缺陷后可保持完善的平面波波形,实现了声波隐身性能,与现有技术相比,本发明具有等效参数同时为零、阻抗匹配、高透过率和设计自由度高等优点。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116935818 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210348766.3 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人 同济大学 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号 (72)发明人 郝彤 王文琴 李勇  (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 专利代理师 杨宏泰 (51)Int.Cl. G10K 11/02 (2006.01) G10K 11/172 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 基于亥姆霍兹共振腔的双零折射率声学超 材料设计方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于亥姆霍兹共振腔的双 零折射率声学超材料设计方法,该方法将两个亥 姆霍兹共振腔并联,并通过一个连通管连通两个 亥姆霍兹共振腔的腔体构成结构单元,通过调控 连通管的几何尺寸使得该结构单元的有效质量 密度和有效体积模量的倒数同时为零,并且本发 明设计了一维周期性排列结构单元的阵列模型, 在双零折射率的频率处实现了均匀分布的声压 场和无变化的相位分布,同时设计了二维平面上 具有周期性排列结构单元的阵列模型,当嫁接在 具有硬缺陷的二维波导上时,在声波入射波导并 A 经过硬缺陷后可保持完善的平面波波形,实现了 8 声波隐身性能,与现有技术相比 ,本发明具有等 1 8 5 效参数同时为零、阻抗匹配、高透过率和设计自 3 9 6 由度高等优点。

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