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PCT发明

用于释放薄膜的应力的原位高功率植入

2023-05-25 12:11:46 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201980035288.7
  • 公开（公告）日：2025-04-11
  • 公开（公告）号：CN112219259A
  • 申请人：应用材料公司
摘要：本公开的实施例通常关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆叠上方沉积碳硬模，其中基板被定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬模，其中沉积碳硬模和将离子植入碳硬模在相同处理腔室中执行；以及以循环方式重复沉积碳硬模和将离子植入碳硬模，直至达到预定厚度的碳硬模。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112219259 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 201980035288.7 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 (22)申请日 2019.06.05 代理人 汪骏飞　侯颖媖 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/688,721 2018.06.22 US H01L 21/02 (2006.01) 16/430,136 2019.06.03 US H01L 21/033 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 21/3115 (2006.01) 2020.11.25 H01L 21/265 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 21/67 (2006.01) PCT/US2019/035497 2019.

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