发明

一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法2025

2025-03-12 12:08:04 发布于四川 5
  • 申请专利号:CN202510138010.X
  • 公开(公告)日:2025-05-23
  • 公开(公告)号:CN119588675A
  • 申请人:山西创芯光电科技有限公司
摘要:本发明提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,属于红外探测器制备技术领域;解决了传统清洗工艺存在残留物导致盲元增加的问题;包括以下步骤:在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面;在取片后,将红外探测器芯片放置在清洗工装中,通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗;通过DI水冲洗红外探测器芯片表面;使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面;采用DI水冲洗红外探测器芯片表面;采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面;本发明应用于Ⅱ类超晶格红外探测器抛光后表面清洗。

专利内容

本发明提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,属于红外探测器制备技术领域;解决了传统清洗工艺存在残留物导致盲元增加的问题;包括以下步骤:在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面;在取片后,将红外探测器芯片放置在清洗工装中,通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗;通过DI水冲洗红外探测器芯片表面;使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面;采用DI水冲洗红外探测器芯片表面;采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面;本发明应用于Ⅱ类超晶格红外探测器抛光后表面清洗。B08B3/02(2006.01);B08B3/08(2006.01);B08B3/12(2006.01);B08B13/00(2006.01)

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