一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318286 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202210100410.8 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人 北京青禾晶元半导体科技有限责任 公司 地址 100083 北京市海淀区花园北路25号 小关(厂南区)4号楼1层146 (72)发明人 郭超　母凤文　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 李林 (51)Int.Cl. C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/30 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种复合基板的制备装置及复合基板的制 备方法 (57)摘要 本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方 法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉 积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉 积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表 面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能 够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二 真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件， 移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的 基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至 少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本 A 发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性 6 好、材料的利用率高及成品率高的特点。 8 2 8