一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064871 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202311866948.0 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 苏州精材半导体科技有限公司 地址 215127 江苏省苏州市中国（江苏）自 由贸易试验区苏州片区苏州工业园区 启明路8号综合保税区B区H厂房 申请人 北京精材半导体科技有限公司 (72)发明人 崔海珍　吴涛　 (74)专利代理机构 北京弘权知识产权代理有限 公司 11363 专利代理师 逯长明　朱炎 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 (57)摘要 本申请提供了一种电阻率均匀的碳化硅膜 及其制备方法，属于化学气相沉积技术领域。本 发明通过使用甲基三氯硅烷作为前驱体原料，氩 气作为载流气体，对掺杂气体经预热器进行预热 处理并完全分解为氮原子单位形式，进入化学气 相沉积室，供应浓度均匀的氮原子，从而形成电 阻率均匀的碳化硅膜。采用本发明方法制得的碳 化硅膜的电阻率偏差符合多数产品对碳化规模 的电阻率偏差的生产需求，相比使用未经预热处 理的N型掺杂气体制得的碳化硅膜，电阻率偏差 更低，能够提高产品质量及提供生产需求率。 A 1 7 8 4 6 0 8