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一种二维光子晶体面发射激光器2025

2024-06-01 07:24:44 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202410211429.9
  • 公开(公告)日:2025-03-14
  • 公开(公告)号:CN118073962A
  • 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要:本发明公开了一种二维光子晶体面发射激光器,涉及半导体激光器技术领域。该面发射激光器包括由上至下依次设置的n掺杂衬底、n掺杂包层、有源层、光子晶体层、p掺杂包层和p掺杂接触层;所述的光子晶体层由相同的晶胞周期排列而成,且每个晶胞包括与母材折射率不同的第1异折射率区域、第2异折射率区域和第3异折射率区域。基于该光子晶体结构的面发射激光器,可以在大的模场面积下维持器件的单模工作特性,从而获得一种高功率单模面发射激光器。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118073962 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410211429.9 (22)申请日 2024.02.27 (71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市东南湖大路 3888号 (72)发明人 佟存柱 王子烨 王品尧 陆寰宇  汪丽杰  (74)专利代理机构 长春众邦菁华知识产权代理 有限公司 22214 专利代理师 李外 (51)Int.Cl. H01S 5/183 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种二维光子晶体面发射激光器 (57)摘要 本发明公开了一种二维光子晶体面发射激 光器,涉及半导体激光器技术领域。该面发射激 光器包括由上至下依次设置的n掺杂衬底、n掺杂 包层、有源层、光子晶体层、p掺杂包层和p掺杂接 触层;所述的光子晶体层由相同的晶胞周期排列 而成,且每个晶胞包括与母材折射率不同的第1 异折射率区域、第2异折射率区域和第3异折射率 区域。基于该光子晶体结构的面发射激光器,可 以在大的模场面积下维持器件的单模工作特性, 从而获得一种高功率单模面发射激光器。 A 2 6 9 3 7 0 8 1 1 N C CN 118073962 A 权 利 要 求 书

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