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单层相位差材料的制造方法

2023-06-25 07:09:08 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202180066988.X
  • 公开(公告)日:2025-04-01
  • 公开(公告)号:CN116323702A
  • 申请人:日产化学株式会社
摘要:根据一种单层相位差材料的制造方法,能够制作相位差值及双折射高的单层相位差材料,所述单层相位差材料的制造方法包含以下工序:(I)将聚合物组合物涂布于基板上并干燥,形成涂膜;以及(II)对所述涂膜照射偏振光紫外线,所述聚合物组合物包含在侧链具有以波长365nm的光进行光二聚化或光异构化的光反应性部位的聚合物,偏振光紫外线中的波长313nm的光在波长365nm的光与波长313nm的光的合计量中所占的量为10%以下。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116323702 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202180066988.X (74)专利代理机构 北京汇思诚业知识产权代理 有限公司 11444 (22)申请日 2021.09.29 专利代理师 龚敏 王刚 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-164281 2020.09.30 JP C08F 120/10 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.03.29 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/035905 2021.09.29 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/071409 JA 2022.04.07 (71)申请人 日产化学株式会社 地址 日本国东京都 (72)发明人 山极大辉 藤枝司  权利要求书4页 说明书32页 (54)发明名称 单层相位差材料的制造方法 (57)摘要 根据一种单层相位差材料的制造方法,能够 制作相位差值及

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