一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及制备方法
- 申请专利号:CN202010516637.1
- 公开(公告)日:2024-12-13
- 公开(公告)号:CN113782593A
- 申请人:北京大学
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782593 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202010516637.1 H01L 21/34 (2006.01) (22)申请日 2020.06.09 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北 京大学化学院 (72)发明人 彭海琳 李天然 涂腾 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 代理人 关畅 (51)Int.Cl. H01L 29/24 (2006.01) H01L 29/51 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/443 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图8页 (54)发明名称 一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶 体管及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物 顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维 Bi O Se晶体进行原位氧化,使其表层氧化转化 2 2 为一定厚度的栅氧化物Bi SeO 。随后利用氢氟 2 5 酸选择性刻蚀Bi SeO ,暴露出源漏接触区域的
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