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发明

一种单层MoS2/C3N4催化剂的制备方法及应用2025

2023-12-08 07:11:44 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311033951.4
  • 公开（公告）日：2025-04-04
  • 公开（公告）号：CN117138817A
  • 申请人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种单层MoS2/C3N4催化剂的制备方法，具体是将表面活性剂和氮化碳溶于去离子水中，在38~42℃下恒温搅拌20~24h后；加入四硫代钼酸铵和水合肼，混匀后，在90~100℃下搅拌回流7~9h；固液分离，固体洗涤干燥，高温焙烧，即得单层MoS2/C3N4催化剂；将该单层MoS2/C3N4催化剂应用在催化降解含硫挥发性有机物中，实验结果显示在常压、425℃下甲硫醇能完全去除，该催化剂表现出优异的催化性能和稳定性，本发明催化剂制备简单，适于工业化生产和市场推广应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117138817 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311033951.4 (22)申请日 2023.08.17 (71)申请人 昆明理工大学 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路 253号 (72)发明人 陆继长　杨翼嘉　罗永明　张艺霖　 方健　杨雪滢　 (74)专利代理机构 昆明同聚专利代理有限公司 53214 专利代理师 苏芸芸 (51)Int.Cl. B01J 27/24 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) C07C 1/32 (2006.01) C07C 9/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图5页 (54)发明名称 一种单层MoS /C N 催化剂的制备方法及应 2 3 4 用 (57)摘要 本发明公开一种单层MoS /C N 催化剂的制 2 3 4 备方法，具体是将表面活性剂和氮化碳溶于去离 子水中，在38 42℃下恒温搅拌20 24h后；加入四 ~ ~ 硫代钼酸铵和水合肼，混匀后，在90 100℃下搅 ~ 拌回流7

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