目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导体结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112824971 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 201911148990.2 (22)申请日 2019.11.21 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 杜杳隽　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. G03F 1/72(2012.01) G03F 7/20(2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图12页 (54)发明名称 目标版图和掩膜版版图的修正方法及半导 体结构 (57)摘要 一种目标版图和掩膜版版图的修正方法及 半导体结构，所述目标版图的修正方法包括：提 供基底；检测所述基底的缺陷；在所述基底表面 获取缺陷图形，所述缺陷在所述基底表面的投影 在所述缺陷图形内，所述缺陷图形包括若干第一 图形；提供初始目标版图，所述初始目标版图包 括若干初始图形；对所述缺陷图形和所述初始目 标版图进行比较处理，在所述初始目标版图中获 取待修正图形，所述待修正图形为初始图形中与 所述第一图形至少部分重合的部分；对所述待修 正图形进行预处理以形成目标