发明

飞秒激光辅助刻蚀的非线性光学晶体微纳结构加工方法2023

2024-01-06 07:17:11 发布于四川 24
  • 申请专利号:CN202311390376.3
  • 公开(公告)日:2023-12-29
  • 公开(公告)号:CN117300369A
  • 申请人:南京大学
摘要:本发明公开了一种飞秒激光辅助刻蚀的非线性光学晶体微纳结构加工方法,包括如下步骤:(1)获取非线性光学晶体的损伤阈值,并测量在低于所述损伤阈值情况下完成不同深度的非线性光学晶体改性时的激光能量,形成加工深度‑激光能量对应关系;(2)按照所述加工深度‑激光能量对应关系,在非线性光学晶体内部进行直写,形成所需三维微纳结构的局部改性区域;(3)对非线性光学晶体进行机械抛光,减薄非线性光学晶体,直至非线性光学晶体内部局部改性区域的刻蚀起点露置于表面;(4)对非线性光学晶体的局部改性区域进行化学刻蚀,获得所需具有三维微纳结构的非线性光学晶体。本发明刻蚀速度更快、工艺更简洁。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117300369 A (43)申请公布日 2023.12.29 (21)申请号 202311390376.3 (22)申请日 2023.10.25 (71)申请人 南京大学 地址 210008 江苏省南京市鼓楼区汉口路 22号 (72)发明人 王天新 张勇  (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 冯艳芬 (51)Int.Cl. B23K 26/362 (2014.01) B23K 26/00 (2014.01) B23K 26/70 (2014.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 飞秒激光辅助刻蚀的非线性光学晶体微纳 结构加工方法 (57)摘要 本发明公开了一种飞秒激光辅助刻蚀的非 线性光学晶体微纳结构加工方法,包括如下步 骤:(1)获取非线性光学晶体的损伤阈值,并测量 在低于所述损伤阈值情况下完成不同深度的非 线性光学晶体改性时的激光能量,形成加工深 度‑激光能量对应关系;(2)按照所述加工深度‑ 激光能量对应关系,在非线性光学晶体内部进行 直写,形成所需三维微纳结构的局部改性区域; (3)对非线性光学晶体进行机械抛光,减薄非线 性光学晶体,直至非线性光学晶体内部局部改性 区域的刻蚀起点露置于表面;(4)对非线性光学 A 晶体的局部改性区域进行化学刻蚀,获得所需具 9 有三维微纳结构的非线性光学晶体。本发明刻蚀

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