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存储阵列故障检测方法、装置与电子设备

2023-05-12 11:36:34 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202210173542.3
  • 公开(公告)日:2025-01-10
  • 公开(公告)号:CN114550799A
  • 申请人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本公开提供一种存储阵列故障检测方法、装置与电子设备。方法包括:对待测存储阵列中多条第一位线连接的存储单元和多条第二位线连接的存储单元分别写入第一电压和第二电压,第一位线与第二位线交错相邻设置,第一电压大于第二电压;顺次控制多条字线开启以读取存储单元,其中控制多条字线开启包括控制每条字线开启预设时长后,控制连接第一位线或第二位线的感应放大器开启以读取存储单元,预设时长大于感应放大器对应的标准感应延迟时间;在存储单元的读取结果不等于其写入的第一电压或第二电压时,判断待测存储阵列存在同轴字线双位元电容漏电。本公开实施例可以较快测出连接同一条字线的相邻存储单元(同轴字线双位元)之间的漏电现象。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114550799 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210173542.3 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 楚西坤 刘东 第五天昊  (74)专利代理机构 北京律智知识产权代理有限 公司 11438 专利代理师 李建忠 (51)Int.Cl. G11C 29/12 (2006.01) G11C 29/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图5页 (54)发明名称 存储阵列故障检测方法、装置与电子设备 (57)摘要 本公开提供一种存储阵列故障检测方法、装 置与电子设备。方法包括:对待测存储阵列中多 条第一位线连接的存储单元和多条第二位线连 接的存储单元分别写入第一电压和第二电压,第 一位线与第二位线交错相邻设置,第一电压大于 第二电压;顺次控制多条字线开启以读取存储单 元,其中控制多条字线开启包括控制每条字线开 启预设时长后,控制连接第一位线或第二位线的 感应放大器开启以读取存储单元,预设时长大于 感应放大器对应的标准感应延迟时间;在存储单 元的读取结果不等于其写入的第一电压或第二 电压时,判断待测存储阵列存在同轴字线双位元 A 电容漏电。本公开实施例可以较快测出连接同一 9 条字线的相邻存储单元(同轴字线双位元)之间 9 7