一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203325 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111194615.9 (22)申请日 2021.10.13 (71)申请人 西安电子科技大学芜湖研究院 地址 241000 安徽省芜湖市弋江区文津西 路8号 (72)发明人 吴巍炜　张永峰　胡文文　张劲松　 徐盼　周春林　杨毓枢　王旭　 (74)专利代理机构 兰州嘉诺知识产权代理事务 所(普通合伙) 62202 代理人 吴迪 (51)Int.Cl. G21H 1/06 (2006.01) 权利要求书3页 说明书15页 附图3页 (54)发明名称 一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元 的制备方法 (57)摘要 本发明属于半导体器件技术与核科学技术 领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核 电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上 生长n型β‑Ga O 织构膜，然后高温退火后与石 2 3 墨烯或碳纳米管或金属Ti/Au膜顶电极组装得到 Ga O 基肖特基二极管单元；最后在Ga O 基肖特 2 3 2 3 基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到 宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备 的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端 恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供 电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半 A