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发明

一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备方法2025

2023-11-16 07:23:21 发布于四川 13
  • 申请专利号：CN202311014833.9
  • 公开（公告）日：2025-06-06
  • 公开（公告）号：CN117024131A
  • 申请人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
摘要：一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备方法,本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备方法。本发明材料为Li2O‑Ca0‑MgO‑CoO‑SiO2基微LTCC材料，其材料化学式为xLi2O‑Ca0‑(1‑x‑y)MgO‑yCoO‑2SiO2(x＝0‑0.2mol,y＝0‑0.5)，通过固相反应法制备；烧结后的晶相为CaMg(SiO3)2(JCPDS#00‑019‑0239)、Ca2CoSi2O7(JCPDS#01‑070‑5361)、CaSiO3(JCPDS#00‑027‑1064)和Co2SiO4(JCPDS#00‑025‑0254)混合相。本发明烧结温度880℃～925℃，介电常数5～8，损耗低至2.8×10‑4(f＝12GHz)，抗弯强度超过200MPa。该组分陶瓷品质因素高，抗弯强度高，能够应用在LTCC滤波器、微波天线、电感等领域。本发明制备工艺简单，性能优异。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117024131 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311014833.9 C04B 35/638 (2006.01) (22)申请日 2023.08.14 (71)申请人 深圳市麦捷微电子科技股份有限公 司 地址 518000 广东省深圳市坪山区龙田街 道竹坑社区坪山科技路麦捷科技智慧 园1号厂房101 (72)发明人 陈亚伟　周志斌　陈志远　梁启新　 简丽勇　 (74)专利代理机构 深圳市千纳专利代理有限公 司 44218 专利代理师 黄良宝 (51)Int.Cl. C04B 35/22 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备 方法 (57)摘要 一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备 方法 ,本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及 一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备方法。 本发明材料为Li O‑Ca0‑MgO‑CoO‑SiO 基微LTCC 2 2 材料，其材料化学式为xLi O‑Ca0‑(1‑x‑y)MgO‑

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