防止存储单元数据遗失的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464222 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 201610852334.0 (22)申请日 2016.09.27 (30)优先权数据 62/234,887 2015.09.30 US (71)申请人 禾瑞亚科技股份有限公司 地址 中国台湾台北市内湖区瑞光路302号 11楼 (72)发明人 林光辉　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 专利代理师 曹玲柱 (51)Int.Cl. G11C 7/24 (2006.01) G11C 16/22 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 防止存储单元数据遗失的方法 (57)摘要 本发明为有关一种防止存储单元数据遗失 的方法，该存储单元的晶体管于半导体基底上成 型源极、漏极与通道，且通道上成型隧穿氧化层、 浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极，而先对浮置 栅极进行清除作业，并使用微弱电场，将少许电 子注入浮置栅极内部，供浮置栅极内部保持少许 电子，并导通源极与漏极间的通道，且浮置栅极 内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成 相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内， 可正常读取浮置栅极内部数据，利用正常写入电 场对浮置栅极注入正常电子，阻止源极与漏极间 的通道导通，则可将数据写入浮置栅极内。 A 2 2 2 4 6 4 4 1 1 N C C