电荷俘获存储器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284536 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110128976.7 H01L 27/11568 (2017.01) (22)申请日 2021.01.29 (30)优先权数据 16/781527 2020.02.04 US (71)申请人 格芯（美国）集成电路科技有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 F ·卡恩　D ·莫伊　N ·W ·罗布森　 R ·卡茨　D ·L ·阿南德　 桐畑外志昭　 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 贺月娇　杨晓光 (51)Int.Cl. G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图12页 (54)发明名称 电荷俘获存储器件 (57)摘要 本公开一般地涉及半导体结构，更具体地涉 及电荷俘获存储器件及制造和操作的方法。该半 导体存储器包括：电荷俘获晶体管，其包括栅极 结构、源极区和漏极区；以及自加热电路，其在电 荷俘获晶体管的源极区和漏极区之间选择性地 施加交替的偏置方向，以提供电荷俘获晶体管的 擦除操作或编程操作。 A 6 3 5 4 8 2 3 1 1 N C CN 113284536 A