发明

电荷俘获存储器件

2023-06-18 07:07:26 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110128976.7
  • 公开(公告)日:2024-10-18
  • 公开(公告)号:CN113284536A
  • 申请人:格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要:本公开一般地涉及半导体结构,更具体地涉及电荷俘获存储器件及制造和操作的方法。该半导体存储器包括:电荷俘获晶体管,其包括栅极结构、源极区和漏极区;以及自加热电路,其在电荷俘获晶体管的源极区和漏极区之间选择性地施加交替的偏置方向,以提供电荷俘获晶体管的擦除操作或编程操作。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284536 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110128976.7 H01L 27/11568 (2017.01) (22)申请日 2021.01.29 (30)优先权数据 16/781527 2020.02.04 US (71)申请人 格芯(美国)集成电路科技有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 F ·卡恩 D ·莫伊 N ·W ·罗布森  R ·卡茨 D ·L ·阿南德  桐畑外志昭  (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 贺月娇 杨晓光 (51)Int.Cl. G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图12页 (54)发明名称 电荷俘获存储器件 (57)摘要 本公开一般地涉及半导体结构,更具体地涉 及电荷俘获存储器件及制造和操作的方法。该半 导体存储器包括:电荷俘获晶体管,其包括栅极 结构、源极区和漏极区;以及自加热电路,其在电 荷俘获晶体管的源极区和漏极区之间选择性地 施加交替的偏置方向,以提供电荷俘获晶体管的 擦除操作或编程操作。 A 6 3 5 4 8 2 3 1 1 N C CN 113284536 A

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