基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117031851 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310915921.X (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 张永　沈健　张磊　苏翼凯　 (74)专利代理机构 上海交达专利事务所 31201 专利代理师 王毓理　王锡麟 (51)Int.Cl. G02F 1/21 (2006.01) G02F 1/225 (2006.01) G02F 1/03 (2006.01) G02F 1/035 (2006.01) G02B 6/122 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制 器 (57)摘要 一种基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光 调制器，包括 ：分段式电容型慢波电极和位于其 上的一对平行设置的拓扑慢光波导，其中 ：拓扑 慢光波导的两端分别设有多模干涉仪，本发明通 过拓扑慢光效应的引入，增强光与介质的相互作 用，增大光传输的群折射率，大大提高调制器的 调制效率，另一方面，由于拓扑慢光效应引入导 致电光速度失配，使得关键指标调制带宽受限。 因此提出使用分段式电容型慢波电极，增大微波 折射率，实现电光速度和阻抗的匹配，获得超大 的调制带宽。 A 1 5 8 1 3 0 7 1 1 N C CN 11703