相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117742067 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311800619.6 (22)申请日 2023.12.25 (71)申请人 广州新锐光掩模科技有限公司 地址 510555 广东省广州市(中新广州知识 城）亿创街1号406房之518 (72)发明人 周家华　郑怀志　施维　甘裕明　 (74)专利代理机构 北京清大紫荆知识产权代理 有限公司 11718 专利代理师 余中燕 (51)Int.Cl. G03F 1/26 (2012.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法 (57)摘要 本申请提供一种相移光掩模版的制备方法、 装置及光刻方法，其中相移光掩模版的制备方法 包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸 量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结 果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻 蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标 相移光掩模版。通过优化工艺，在第一刻蚀层刻 蚀后增加CD量测，不仅可以及时发现CD  error， 还通过动态调整刻蚀配方来适配调整相移光掩 模版图形关键尺寸，这样有效防止前段制程CD  error向后传递，最终来提升相移光掩模版尺寸 精度。无需如现有技术若相移光掩模版图形关键 A 尺寸的VTT表现差时，重新更新所有制作工艺条 7 件来不断重复尝试进行制备及应用等。 6 0 2 4 7