发明

一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法2025

2023-10-31 07:29:32 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202311072814.1
  • 公开(公告)日:2025-09-19
  • 公开(公告)号:CN116943830A
  • 申请人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要:本发明涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法,通过将多晶硅棒加热‑急冷处理,使硅棒获得晶间应力产生裂缝;再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上,通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上,借助外部供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的硅棒区域即为待破碎的区域;气压脉冲设备运行,在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供气,形成气压脉冲,灌入硅棒裂缝中,将裂缝冲开,进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能够减少硅料与人的接触,进而避免硅料受到污染;且破碎过程不需借助机械破碎,减少了杂质离子的引入;利用高压脉冲冲击,灌入硅棒裂缝,将其冲开,同时将隐裂显现并冲开,节约人力。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116943830 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202311072814.1 (22)申请日 2023.08.24 (71)申请人 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 地址 221000 江苏省徐州市经济技术开发 区杨山路66号 (72)发明人 韩秀娟 孙彬 吴锋 徐玲锋  闫家强  (74)专利代理机构 北京锦信诚泰知识产权代理 有限公司 11813 专利代理师 倪青华 (51)Int.Cl. B02C 19/06 (2006.01) B02C 19/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图7页 (54)发明名称 一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法 (57)摘要 本发明涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及 一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法,通过将多 晶硅棒加热‑急冷处理,使硅棒获得晶间应力产 生裂缝;再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上, 通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上,借助外部 供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的 硅棒区域即为待破碎的区域;气压脉冲设备运 行,在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供 气,形成气压脉冲,灌入硅棒裂缝中 ,将裂缝冲 开,进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能 够减少硅料与人的接触 ,进而避免硅料受到污 染;且破碎过程不需借助机械破碎,减少了杂质 A 离子的引入;利用高压脉冲冲击,灌入硅棒裂缝, 0 将其冲开,同

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