一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116621114 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310499321.X (22)申请日 2023.05.04 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 陶虎　李晓辉　秦楠　 (74)专利代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 专利代理师 杨怡清 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作 方法 (57)摘要 本发明提供一种基于MEMS技术的六合一单 片集成传感器的制作方法，其包括在硅片上沉积 隔离层，利用多晶硅制作牺牲层，沉积低应力氮 化硅作为结构层和敏感膜片，在敏感膜片上制作 敏感器件，使得XeF 气体透过敏感膜片上的腐蚀 2 释放孔对牺牲层进行腐蚀，停止腐蚀后封堵所有 的腐蚀释放孔。本发明的六合一单片集成传感器 在单个硅片上集成了压力、加速度、气体、湿度、 温度和麦克风传感器的功能，可以应用于复杂的 场景如应急救援和公共安全等，从而提高作业效 率；并且采用以上牺牲层和腐蚀的材料使得该集 A 成传感器的成品率达到了一个较高的水平，制作 4 成本也会较大幅度地降低，而且可与IC兼容。 1 1