一种高温压力传感器芯片及其制备方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112174085 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011099028.7 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人 广州市智芯禾科技有限责任公司 地址 510000 广东省广州市黄埔区香雪八 路98号C栋1109房 (72)发明人 王立会　邓杨　 (74)专利代理机构 北京世誉鑫诚专利代理有限 公司 11368 代理人 李世端 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01L 1/20 (2006.01) G01L 9/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种高温压力传感器芯片及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其 制备方法，高温压力传感器芯片包括顶层硅结构 和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布 的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶 层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的 压力腔，感压层硅的下表面设置有引压腔；信号 处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、 R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔 离键合层，信号处理层硅用于将压力信号转换为 电信号。本发明提供的压力传感器基于SOI基底 制成，使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层，其最 高使用温度达到500℃。