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发明

磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用2025

2024-01-06 07:29:55 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202311092750.1
  • 公开（公告）日：2025-03-25
  • 公开（公告）号：CN117327485A
  • 申请人：中国科学院合肥物质科学研究院
摘要：本发明公开了一种磁场下合成近红外二区响应的氮掺杂碳量子点及其制备方法与应用，属于碳纳米材料技术领域。制备方法包括以下步骤：以葡萄糖为碳源，氨水为氮源，水为溶剂，在磁场下进行水热反应得到。有益效果：本发明中具体以葡萄糖为碳源，氨水为氮源，以水为溶剂，并在磁场下得到所述的近红外二区响应的氮掺杂碳量子点，得到的碳量子点，其尺寸小，且具有良好的亲水性能、良好的荧光性和近红外成像性能，且可调控的氮掺杂类型和含量，有利于光热转化性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117327485 A (43)申请公布日 2024.01.02 (21)申请号 202311092750.1 B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 5/00 (2011.01) (22)申请日 2023.08.28 C01B 21/082 (2006.01) (71)申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 C01B 32/15 (2017.01) 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖 A61K 41/00 (2020.01) 路350号 A61P 35/00 (2006.01) (72)发明人 王辉　钱勇　 G01N 21/64 (2006.01) (74)专利代理机构 合肥市浩智运专利代理事务 所(普通合伙) 34124 专利代理师 王宏平 (51)Int.Cl. C09K 11/65 (2006.01) C09K 11/08 (2006.01) C09K 5/00 (2006.01) B82Y 20/00

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