一种超宽光谱吸收体、制备方法及其在光谱仪中的应用
- 申请专利号:CN202110436133.3
- 公开(公告)日:2024-07-09
- 公开(公告)号:CN113292042A
- 申请人:江苏度微光学科技有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113292042 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110436133.3 G01J 3/28 (2006.01) (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人 江苏度微光学科技有限公司 地址 226200 江苏省苏州市相城区元和街 道嘉元路1018号元联大厦19层1904- 1906室 (72)发明人 侯玉欣 马庆 罗向东 余洋 陈明 杨春雷 (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 代理人 郑海峰 (51)Int.Cl. B81B 7/04 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01J 3/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种超宽光谱吸收体、制备方法及其在光谱 仪中的应用 (57)摘要 本发明公开了一种超宽光谱吸收体、制备方 法及其在光谱仪中的应用,属于光谱检测领域。 本发明通过在分子束外延设备中分别加入硒源 和锡源,在一定的温度下进行共蒸发形成垂直阵 列式、硒浓度可调的硒化锡纳米片,通过调节衬 底温度来调控SnSe 纳米片的晶体质量,后期热 x 退火处理调控表面缺陷态‑包括材料内部缺陷 (Vsn、Vse、SnSe)