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PCT发明

反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法

2023-07-03 11:00:19 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202080031051.4
  • 公开（公告）日：2024-09-10
  • 公开（公告）号：CN113767332A
  • 申请人：HOYA株式会社
摘要：本发明提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113767332 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202080031051.4 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 (22)申请日 2020.06.18 代理人 王轩 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-114769 2019.06.20 JP G03F 1/24 (2012.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G03F 1/54 (2012.01) 2021.10.25 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/023948 2020.06.18 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/256062 JA 2020.12.24 (71)申请人 HOYA株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 中川真德　笑喜勉　 权利要求书1页 说明书19页 附图4页 (5

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