P-Se双空位MoP/MoSe2异质结材料及其应用

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116532138 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202211639026.1 H01M 4/90 (2006.01) (22)申请日 2022.12.19 (71)申请人 嘉兴学院 地址 314001 浙江省嘉兴市嘉杭路118号嘉 兴学院梁林校区 (72)发明人 李雷　严文思　马惠　宋利　洪哲　 杨震玉　 (74)专利代理机构 杭州初尘专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33514 专利代理师 万静 (51)Int.Cl. B01J 27/19 (2006.01) C25B 1/04 (2021.01) C25B 1/50 (2021.01) C25B 11/091 (2021.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图11页 (54)发明名称 P-Se双空位MoP/MoSe 异质结材料及其应用 2 (57)摘要 本发明属于HER材料领域，具体涉及一种P‑ Se双空位MoP/MoSe 异质结材料，包括Se空位的 2 MoSe 纳米片以及复合在其表面的具有P空位的 2 MoP纳米片，且二者的复合界面具有异质结结构。 本发明还包括所述的材料的制备方法和应用。本 发明所述的材料具