1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

多形态微结构SiC-TiB2-Ti3SiC2强化的复合陶瓷及其制备方法和应用2025

2024-01-06 07:13:08 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202311206508.2
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN117303906A
  • 申请人：哈尔滨理工大学
摘要：多形态微结构SiC‑TiB2‑Ti3SiC2强化的复合陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于超高温复合陶瓷材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有的钛副族碳化物复合陶瓷抗弯强度和断裂韧性无法进一步提高的技术问题。本发明方法：将TiC、TiSi2、钛副族硼化物和TiH2粉体混合，然后交替进行超声和球磨，得到复合粉体，烧结后，即可得到复合陶瓷。本发明通过原位反应生成纳米级等轴状SiC，可以起到钉扎晶界的作用，抑制晶粒长大，显著提高材料的综合力学性能，原位生成板条状(Ti,Zr)B2和层状Ti3SiC2晶粒结构导致裂纹在扩展中偏转或桥连，进而大幅度提高了钛副族碳化物陶瓷强度和韧性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117303906 A (43)申请公布日 2023.12.29 (21)申请号 202311206508.2 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路52号 (72)发明人 魏博鑫　王李卫　柏文龙　武钰龙　 房文斌　 (74)专利代理机构 哈尔滨市阳光惠远知识产权 代理有限公司 23211 专利代理师 姜欢欢 (51)Int.Cl. C04B 35/56 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书14页 附图2页 (54)发明名称 多形态微结构SiC-TiB -Ti SiC 强化的复合 2 3 2 陶瓷及其制备方法和应用 (57)摘要 多形态微结构SiC‑TiB ‑Ti SiC 强化的复合 2 3 2 陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于超高温复 合陶瓷材料及其制备领域。本发明的目的是为了 解决现有的钛副族碳化物复合陶瓷抗弯强度和 断裂韧性无法进一步提高的技术问题。本发明方 法：将TiC、TiSi 、钛副族硼化物和TiH 粉体混 2 2 合，然后交替进行超声和球磨，得到复合粉体，烧 结后，即可得到复合陶瓷。本发明通过原位反

最新专利

相关专利