极紫外光罩与其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113138528 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202011388345.0 (22)申请日 2020.12.01 (30)优先权数据 16/746,640 2020.01.17 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力 行六路八号 (72)发明人 许倍诚　连大成　李信昌　 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (51)Int.Cl. G03F 1/58 (2012.01) G03F 1/68 (2012.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图9页 (54)发明名称 极紫外光罩与其制造方法 (57)摘要 本揭露提供一种极紫外(extreme  ultra  violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外 光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形 成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金 属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含 蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上 定义结构。 A 8 2 5 8 3 1 3 1 1 N C CN 113138528 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种极紫外光罩，其特征在于，包含： 一基