PCT发明
面积高效的双端口和多端口SRAM、用于SRAM的面积高效的存储器单元
2023-04-22 09:15:31
发布于四川
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- 申请专利号：CN202080035545.X
- 公开（公告）日：2025-01-07
- 公开（公告）号：CN113939878A
- 申请人：艾克斯安耐杰克有限公司
摘要：本公开涉及一种静态随机存取存储器和用于静态随机存取存储器的存储器单元，该存储器单元包括：形成第一和第二交叉耦合反相器(INV1、INV2)的第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)和第四晶体管(M4)，其中，第一和第二交叉耦合反相器(INV1、INV2)限定第一存储节点(D)和反相的第一存储节点(D’)，其中，第一反相器(INV1)连接到第一参考电压(GND1)和第一电源电压(VDD1)，并且其中，第二反相器(INV2)连接到第二参考电压(GND2)和第二电源电压(VDD2)；连接在第一存储节点(D)和第一位线(BL1)之间的第五晶体管(M5)；连接在反相的第一存储节点(D’)和第二位线(BL2)之间的第六晶体管(M6)；连接到第五晶体管(M5)的第一字线(WL1)，所述第一字线(WL1)控制第一位线(BL1)对第一存储节点(D)的访问；和独立于第一字线(WL1)的第二字线(WL2)，该第二字线连接到第六晶体管(M6)，所述第二字线(WL2)独立于第一位线(BL1)控制第二位线(BL2)对反相的第一存储节点(D’)的访问；其中，第一字线(WL1)与第一参考电压(GND1)的相对电压电平、或第一电源电压(VDD1)与第一参考电压(GND1)的相对电压电平、或第二字线(WL2)与第二参考电压(GND2)的相对电压电平、或第二电源电压(VDD2)与第二参考电压(GND2)的相对电压电平、或第一参考电压(GND1)与第二参考电压(GND2)的相对电压电平被配置使得可以独立地读取和写入第一存储节点(D)和反相的第一存储节点(D’)的数据。
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113939878 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202080035545.X (74)专利代理机构 青岛联智专利商标事务所有
限公司 37101
(22)申请日 2020.03.13
代理人 阎娬斌 匡丽娟
(30)优先权数据
(51)Int.Cl.
19162791.8 2019.03.14 EP
G11C 7/12 (2006.01)
(85)PCT国际申请进入国家阶段日
G11C 8/08 (2006.01)
2021.11.09
G11C 11/412 (2006.01)
(86)PCT国际申请的申请数据 G11C 11/417 (2006.01)
PCT/EP2020/056853 2020.03.13
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2020/182983 EN 2020.09.17
(71
原创力.专利
