基于子群燃耗技术的稀缺同位素精细化能谱辐照生产方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116884664 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310851783.3 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 潘清泉　赵庆飞　刘晓晶　 (74)专利代理机构 上海交达专利事务所 31201 专利代理师 王毓理　王锡麟 (51)Int.Cl. G21G 1/00 (2006.01) G21G 1/02 (2006.01) G16C 10/00 (2019.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 基于子群燃耗技术的稀缺同位素精细化能 谱辐照生产方法 (57)摘要 一种基于子群燃耗技术的稀缺同位素精细 化能谱辐照生产方法，基于子群燃耗技术计算辐 照生产锎‑252过程中的各个能区相对重要性指 标和能区绝对重要性指标，以表征各能区内的核 素转化率，进而构建能谱重要性曲线 ；根据能谱 重要性曲线确定积极能区和消极能区，并分别通 过单能量燃耗技术提高积极能区的中子通量、通 过能谱过滤技术降低消极能区的中子通量，进而 实现能谱调制并显著提升核素转化率与锎‑252 的生产效率。根据子群燃耗技术确定能谱重要性 曲线，进而实现能谱调制，从而显著提高稀缺同 A 位素的辐照生产效率。 4 6 6 4 8 8 6 1 1 N C CN 116884664 A 权　利　要