光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113495424 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 201911386643.3 (22)申请日 2020.04.08 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 陈术　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. G03F 1/36(2012.01) G03F 7/20(2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 (57)摘要 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方 法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考 图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库； 提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修 正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个 所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修 正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库 进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学 邻近修正数据。由于在半导体制程中，对伪结构 层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用 比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正