半导体存储器设备及其操作方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464221 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202110687866.4 (22)申请日 2021.06.21 (30)优先权数据 10-2020-0149655 2020.11.10 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 崔亨进　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 罗利娜 (51)Int.Cl. G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) 权利要求书3页 说明书18页 附图20页 (54)发明名称 半导体存储器设备及其操作方法 (57)摘要 本公开的各实施例涉及半导体存储器设备 和及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存 储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单 元阵列包括多个存储器单元。外围电路被配置成 对存储器单元阵列执行编程操作和读取操作。控 制逻辑被配置成控制外围电路的操作。控制逻辑 控制外围电路对在多个存储器单元中的、被包括 在选定页中的存储器单元执行SLC编程操作；将 通过对选定页执行正常感测操作所计数的第一 故障位的数量与通过对选定页执行多感测操作 所计数的第二故障位的数量进行比较；以及基于 比较的结果来校正要被用于读取操作的至少一 A 个评估时间。 1 2 2 4 6 4 4 1 1 N C CN 114464221 A