一种光学微纳结构的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113120857 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110400994.6 (22)申请日 2021.04.14 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 欧欣　王成立　伊艾伦　沈晨　 张加祥　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 代理人 郝传鑫　贾允 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G02B 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种光学微纳结构的制备方法 (57)摘要 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法， 通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下 依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由 硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割， 得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子 束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光 学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形 成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的 厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得 到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除 离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳 结构。 A 7 5 8 0 2 1 3