发明

一种声学谐振器及其制备方法、滤波器

2023-08-25 07:33:34 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202310732219.X
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN116633304A
  • 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要:本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构,支撑衬底内设有多边形空腔;支撑衬底为{111}单晶硅衬底;多边形空腔的周面包括硅<110>晶向;压电薄膜层靠近多边形空腔,且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔,多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116633304 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310732219.X (22)申请日 2023.06.19 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 欧欣 郑鹏程 张师斌 吴进波  张丽萍  (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 郑华洁 (51)Int.Cl. H03H 9/02 (2006.01) H03H 9/54 (2006.01) H03H 9/64 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种声学谐振器及其制备方法、滤波器 (57)摘要 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种 声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振 器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜 层和叉指电极结构,支撑衬底内设有多边形空 腔;支撑衬底为{111}单晶硅衬底;多边形空腔的 周面包括硅<110>晶向 ;压电薄膜层靠近多边形 空腔,且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔,多个刻 蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学 谐振器具有优异的电学和机械性能。 A 4 0 3 3 3 6 6 1 1 N C CN 116633304 A 权 利 要 求 书

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