电子器件及制备方法、测试电路及制备方法、测试方法2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117185252 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311161764.4 (22)申请日 2023.09.08 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 孙伟　陈雅鸿　王可心　邓欣宇　 (74)专利代理机构 北京庚致知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 11807 专利代理师 李伟波 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2006.01) H01B 5/00 (2011.01) H01B 1/02 (2006.01) G01R 31/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书22页 附图12页 (54)发明名称 电子器件及制备方法、测试电路及制备方 法、测试方法 (57)摘要 本公开提供了电子器件及制备方法、测试电 路及制备方法、测试方法，电子器件包括基底和 形成于基底表面的纳米电极对，纳米电极对至少 包括两个纳米电极，两个纳米电极之间具有纳米 间隙，两个纳米电极相向地布置。通过改变纳米 电极的组成及形貌参数，或在纳米电极表面修饰 形成包覆层来稳定纳米电极在界面处的原子，降 低原子摆脱晶格束缚并在基底表面定向运动的 可能性；或者刻蚀纳米间隙底部的二氧化硅基 底，阻断原子的迁移路径。从而有效抑制原子迁 移，实现对载流子输运过程的调控。 A 2 5