一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678058 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011555229.3 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 浙江驰拓科技有限公司 地址 311300 浙江省杭州市临安区青山湖 街道励新路9号 (72)发明人 徐晓波　吴爱龙　王龙波　熊保玉　 (74)专利代理机构 北京兰亭信通知识产权代理 有限公司 11667 专利代理师 赵永刚 (51)Int.Cl. G11C 29/50 (2006.01) G11C 11/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方 法、MRAM (57)摘要 本发明提供了一种MRAM读写电压的校准电 路及其校准方法、MRAM，该校准电路包括设置在 MRAM内的发送控制模块、电源管理模块、比较校 验模块。发送控制模块依次配置Trim值，将每次 配置好的Trim值传输给电源管理模块；电源管理 模块对Trim值解析出读写电压值，将读写电压值 传输给比较校验模块；比较校验模块比较解析的 读取电压值与校准读写电压值是否相等，向发送 控制模块发送表征比较结果的反馈信号；发送控 制模块在接收到表征读取电压值与校准读写电 压值相等的反馈信号时，停止配置Trim值，保存 A 与校准读写电压值相等的读取电压值对应的 8 Trim值。能够将读写电压自修调至预期状态，在 5 0