一种电致发射率可变器件

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114995001 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202110224398.7 (22)申请日 2021.03.01 (71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 (72)发明人 曹逊　黄爱彬　邵泽伟　贾汉祥　 金平实　 (74)专利代理机构 上海瀚桥专利代理事务所 (普通合伙) 31261 专利代理师 曹芳玲　郑优丽 (51)Int.Cl. G02F 1/153 (2006.01) G02F 1/157 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 一种电致发射率可变器件 (57)摘要 本发明涉及一种电致发射率可变器件，所述 电致发射率可变器件包括透明基底、以及依次分 布在透明基底表面的第一金属反射层、二氧化钒 层、树脂基离子传导层、硅层和第二金属反射层； 所述第一金属反射层的反射率为90%～100%，所 述第二金属反射层的反射率为20～50%。 A 1 0 0 5 9 9 4 1 1 N C CN 114995001 A 权　利　要　求　书 1/1 页 1.一种电致发射率可变器件，其特征在于，所述电致发射率可变器件包括透明基底、以 及依次分布在透明基底表面的第一金属反射层、二氧化钒层、树脂基离子传导层、硅