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发明

具备外延异质结的钙钛矿量子点导电膜的制备方法及其产品和应用2025

2024-03-31 07:38:43 发布于四川 7
  • 申请专利号：CN202311808749.4
  • 公开（公告）日：2025-09-12
  • 公开（公告）号：CN117772573A
  • 申请人：南开大学
摘要：本申请公开了一种具备外延异质结的钙钛矿量子点导电膜的制备方法及其产品和应用，属于半导体异质结技术领域。本申请制备方法包括：分别提供含有第一配体的钙钛矿量子点前驱液和含有第二配体的钙钛矿基质前驱液，并将含有第一配体的钙钛矿量子点前驱液和含有第二配体的钙钛矿基质前驱液进行混合形成钙钛矿异质结前驱液之后，将钙钛矿异质结前驱液浇注于基底上，依次进行成膜和退火处理，即得具备外延异质结的钙钛矿量子点导电膜。本申请通过第一配体和第二配体的相互作用一步高效构筑成形外延异质结构，不仅简化制备步骤并解除基底材料晶格匹配的限制，适合工业化生产，而且赋予具备外延异质结的钙钛矿量子点导电膜在自然环境中的稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117772573 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311808749.4 C03C 17/22 (2006.01) C09K 11/66 (2006.01) (22)申请日 2023.12.26 B82Y 20/00 (2011.01) (71)申请人 南开大学 B82Y 40/00 (2011.01) 地址 300350 天津市津南区海河教育园区 B05D 3/02 (2006.01) 同砚路38号南开大学材料科学与工程 B05D 1/00 (2006.01) 学院 (72)发明人 袁明鉴　韦科妤　姜源植　孙长久　 (74)专利代理机构 西安杜诺匠心专利代理事务 所(普通合伙) 61272 专利代理师 刘立磊 (51)Int.Cl. B05D 5/12 (2006.01) H10K 71/12 (2023.01) H10K 71/40 (2023.01) H10K 85/50 (2023.01)

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