发明

基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法2025

2024-01-30 07:16:47 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311430507.6
  • 公开(公告)日:2025-03-18
  • 公开(公告)号:CN117448951A
  • 申请人:深圳左文科技有限责任公司
摘要:本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法,属于金刚石生长领域。包括有步骤:S1:选用合适的金刚石晶种,并将金刚石晶种清洗干净;S2:对晶种的四个侧面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向和<110>方向平行,使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域;S3:将晶种放入MPCVD腔体,进行金刚石毛坯生长;S4:对生长结束的毛坯进行处理,去除边缘的多晶和石墨,成为金刚石单晶。本发明通过在晶种的四个侧面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向和<110>方向平行,使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域,形成一个阻隔区,避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长,进而避免晶种水平扩张,减少金刚石晶体生长相互干涉。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117448951 A (43)申请公布日 2024.01.26 (21)申请号 202311430507.6 B24C 3/00 (2006.01) B24B 9/16 (2006.01) (22)申请日 2023.10.31 (71)申请人 深圳左文科技有限责任公司 地址 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街 道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有 限公司D栋厂房102 (72)发明人 廖佳 王海明 李再强  (74)专利代理机构 深圳市神州联合知识产权代 理事务所(普通合伙) 44324 专利代理师 刘文治 (51)Int.Cl. C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) B28D 5/00 (2006.01) B24C 1/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相 互干涉的方法 (57)摘要 本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金 刚石晶体生长相互干涉的方法,属于金刚石生长 领域。包括有步骤:S1 :选用合适的金刚石晶种, 并将金刚石晶种清洗干净;S2:对晶种的四个侧 面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向 和<110>

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