一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117265604 A (43)申请公布日 2023.12.22 (21)申请号 202310966200.1 (22)申请日 2023.08.02 (71)申请人 湖北兴福电子材料股份有限公司 地址 443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大 道66-3号 (72)发明人 郭岚峰　叶瑞　贺兆波　秦祥　 张演哲　刘仁龙　魏虎　雷康乐　 (74)专利代理机构 宜昌市三峡专利事务所 42103 专利代理师 成钢 (51)Int.Cl. C25D 3/38 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工 艺的添加剂 (57)摘要 本发明特别涉及一种用于TSV高深径比通孔 电沉积铜填充工艺的添加剂，属于MEMS晶圆TSV 高深径比通孔电沉积铜填充领域，为整平剂中的 一种。所述整平剂的化学结构式为： 所述整平剂具有 抑制铜沉淀的作用，且能够吸附在微孔孔口和孔 外镀层凸起的高电荷密度区，故能使镀层起到整 平作用，和避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至 A 于提前封孔的异常发生，明显降低电沉积铜填充 4 过程中的微裂缝和微空洞出现的