一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115723027 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202211524369.3 H01L 21/304 (2006.01) B28D 5/04 (2006.01) (22)申请日 2022.11.30 (71)申请人 山东大学 地址 250100 山东省济南市历城区山大南 路27号 (72)发明人 张雷　王忠新　俞娇仙　王守志　 王国栋　刘磊　刘光霞　徐现刚　 (74)专利代理机构 济南金迪知识产权代理有限 公司 37219 专利代理师 张宏松 (51)Int.Cl. B24B 29/02 (2006.01) B24B 1/00 (2006.01) B24B 57/02 (2006.01) H01L 21/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺 (57)摘要 本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片 的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、 电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛 光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实 现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚 表面无损伤，并且透过率大大提高。 A