1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 作业/运输
发明

超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备

2023-05-06 10:05:58 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111651342.6
  • 公开（公告）日：2022-04-12
  • 公开（公告）号：CN114314505A
  • 申请人：中山大学
摘要：本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备，本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂，以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体，合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比，10BP微纳米线表现出优异的性能，其长度达到1.1cm，硬度相当高，达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外，将10BP微纳米线集成到探测器中，器件表现出良好的光响应和压电特性，证明了该材料在光电、应变传感和固态半导体核辐射检测中的应用前景。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114314505 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111651342.6 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 中山大学 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西 路135号 (72)发明人 郑伟　陆雪芳　宋晓宇　黄丰　 (74)专利代理机构 深圳市创富知识产权代理有 限公司 44367 代理人 高冰 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图13页 (54)发明名称 10 超硬纯同位素 BP半导体微纳米线的制备 (57)摘要 本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体 10 涉及超硬纯同位素 BP半导体微纳米线的制备， 本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同 10 位素纯 BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的 低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为 10 催化剂，以富含红磷和同位素的 B粉为前驱体， 10 合成得到超长超硬 BP微纳米线。与

最新专利

相关专利