读出放大器、存储装置以及电子设备

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114708892 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210150312.5 (22)申请日 2022.02.18 (71)申请人 真芯（北京）半导体有限责任公司 地址 100101 北京市朝阳区北辰东路8号院 1号楼23层2301内2301、2302、2303号 (72)发明人 池性洙　金基镐　金正镐　孙周焕　 易莎　 (74)专利代理机构 北京市中伦律师事务所 11410 专利代理师 杨黎峰 (51)Int.Cl. G11C 7/06 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 11/402 (2006.01) 权利要求书3页 说明书10页 附图10页 (54)发明名称 读出放大器、存储装置以及电子设备 (57)摘要 本公开公开涉及读出放大器、包括该读出放 大器的存储装置以及包括该存储装置的电子设 备，该读出放大器包括：第一隔离单元；第二隔离 单元；第一偏移消除单元；第二偏移消除单元；以 及感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二 NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体 管，其中，读出放大器还包括第一均衡单元和第 二均衡单元中的至少一者，其中第一均衡单元配 置成选择性地将预充电电压施加到位线，且第二 均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到