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发明
并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片2026
2026-04-08 11:56:45
发布于四川
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- 申请专利号：CN202512013373.3
- 公开（公告）日：2026-04-07
- 公开（公告）号：CN121811952A
- 申请人：南京优存科技有限公司
摘要：本公开提供了并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片，将nor flash的SPI接口电路与待测eflash连接，基于所述SPI接口电路产生第一信号，对所述待测eflash的存储模块的预设地址执行读取操作；基于所述SPI接口电路产生的第二信号，对所述待测eflash的存储模块读取操作得到的数据开始采样；第一信号和所述第二信号之间相差一个SPI接口的串行时钟周期；调整SPI接口的串行时钟周期直至SPI接口电路的串行数据输出接口得到预设数据的输出。本公开采用成熟的nor flash 的SPI接口，直接复用SPI接口的读命令来测试eflash IP的并行读操作的速度，能够简化控制逻辑，减少重复开发成本。
专利内容
本公开提供了并行读操作速度测试电路、测试方法及芯片，将nor flash的SPI接口电路与待测eflash连接，基于所述SPI接口电路产生第一信号，对所述待测eflash的存储模块的预设地址执行读取操作；基于所述SPI接口电路产生的第二信号，对所述待测eflash的存储模块读取操作得到的数据开始采样；第一信号和所述第二信号之间相差一个SPI接口的串行时钟周期；调整SPI接口的串行时钟周期直至SPI接口电路的串行数据输出接口得到预设数据的输出。本公开采用成熟的nor flash 的SPI接口，直接复用SPI接口的读命令来测试eflash IP的并行读操作的速度，能够简化控制逻辑，减少重复开发成本。G11C29/56(2006.01);G06F13/42(2006.01)
