套刻偏差的补偿方法2024

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114114844 A (43)申请公布日 2022.03.01 (21)申请号 202010898429.2 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人 中芯南方集成电路制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 (72)发明人 张海　杨晓松　吴怡旻　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书21页 附图12页 (54)发明名称 套刻偏差的补偿方法 (57)摘要 一种套刻偏差的补偿方法，包括：获取x个第 一检测分布图，每个第一检测分布图包括多个检 测区域，每个检测区域中至少具有1个检测位置， x个第一检测分布图间的检测位置均不重复，x为 大于或者等于2的自然数；根据所述x个第一检测 分布图对第n批次的晶圆进行第一迭代，获取第n 高阶套刻偏差模型。从而，提高半导体结构的套 刻精度，并且，提高套刻偏差补偿的效率。 A 4 4 8 4 1 1 4 1 1 N C CN 114114844 A 权　利　要　求　书 1/3页 1.一种套刻偏差的补偿方法，其特征在于，包括：